Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (3) | Реферативна база даних (6) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Гаркавенко А$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 4 Представлено документи з 1 до 4 |
|||
| 1. | 
Ленков С. В. Модификация свойств полупроводникового соединения CdS при облучении ионами неона [Електронний ресурс] / С. В. Ленков, В. А. Мокрицкий, А. С. Гаркавенко // Вісник Київського національного університету імені Тараса Шевченка. Військово-спеціальні науки. - 2010. - Вип. 24-25. - С. 18-21. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/VKNU_vsn_2010_24-25_7 | ||
| 2. | 
Гаркавенко А. С. Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки [Електронний ресурс] / А. С. Гаркавенко, В. А. Мокрицкий, О. В. Банзак, В. А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2014. - № 4. - С. 50-55. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2014_4_10 При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.Під час опромінення напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій одержано новий вид відпалу, названий авторами «іонізаційним», надано його теоретичне обгрунтування.During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing".При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. Описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование.При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. Наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування.There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. Semiconductors are typically irradiated by low voltage electron accelerators with a continuous flow, the current density in such accelerators is 10{\up\fs8 –5} - 10{\up\fs8 –6} A/cm{\up\fs8 2}, the energy - 0,3 - 1 MeV. All changes in the properties after such irradiation are resistant at room temperature, and marked properties recovery to baseline values is observed only after prolonged heating of the crystals to a high temperature. In contrast, the authors in their studies observe an improvement of the structural properties of semiconductor crystals (annealing of defects) under irradiation with powerful (high current) pulsed electron beams of high energy (E{\dn\fs8 0} = 0,3{\up\fs8 -1} MeV, t = 0,1 - 10 ns, Ω = 1 - 10 Hz, j = 20 - 300 A/cm{\up\fs8 2}). In their previous paper, the authors presented theoretical basis of this effect. This article describes an experimental study on the influence of high-current pulsed electron beams on the optical homogeneity of semiconductor GaAs and CdS crystals, confirming the theory put forward earlier. | ||
| 3. |
Гаркавенко А. С. Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент [Електронний ресурс] / А. С. Гаркавенко, В. А. Мокрицкий, О. В. Банзак, В. А. Завадский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2014. - № 5-6. - С. 51-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2014_5-6_9 При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий получен новый вид отжига, названный авторами «ионизационным», дано его теоретическое обоснование.Під час опромінення напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій одержано новий вид відпалу, названий авторами «іонізаційним», надано його теоретичне обгрунтування.During irradiation of semiconductor crystals with powerful (high current) pulsed high-energy electron beams, a new type of annealing has been obtained. We could obtain new results and to find out physical nature of this phenomenon due to short and powerful bunches of electrons with high energy. Given its theoretical justification, the new annealing type has been called the "ionization annealing".При облучении полупроводниковых кристаллов мощными (сильноточными) импульсными электронными пучками высоких энергий обнаружен новый вид отжига, названный авторами ионизационным. Описаны экспериментальные исследования, подтверждающие сделанное ранее теоретическое обоснование.При опроміненні напівпровідникових кристалів потужними (сильнострумовими) імпульсними електронними пучками високих енергій виявлено новий вид відпалу, названий авторами іонізаційним. Наведено результати експериментальних досліджень, які підтверджують зроблене раніше теоретичне обгрунтування.There is a conception that irradiation of semiconductor crystals with high energy electrons (300 keV) results in a significant and irreversible deterioration of their electrical, optical and structural properties. Semiconductors are typically irradiated by low voltage electron accelerators with a continuous flow, the current density in such accelerators is 10{\up\fs8 –5} - 10{\up\fs8 –6} A/cm{\up\fs8 2}, the energy - 0,3 - 1 MeV. All changes in the properties after such irradiation are resistant at room temperature, and marked properties recovery to baseline values is observed only after prolonged heating of the crystals to a high temperature. In contrast, the authors in their studies observe an improvement of the structural properties of semiconductor crystals (annealing of defects) under irradiation with powerful (high current) pulsed electron beams of high energy (E{\dn\fs8 0} = 0,3{\up\fs8 -1} MeV, t = 0,1 - 10 ns, Ω = 1 - 10 Hz, j = 20 - 300 A/cm{\up\fs8 2}). In their previous paper, the authors presented theoretical basis of this effect. This article describes an experimental study on the influence of high-current pulsed electron beams on the optical homogeneity of semiconductor GaAs and CdS crystals, confirming the theory put forward earlier. | ||
| 4. | 
Гаркавенко А. С. Принципы создания мощных гамма-лазеров [Електронний ресурс] / А. С. Гаркавенко, В. А. Мокрицкий // Збірник наукових праць Військового інституту Київського національного університету імені Тараса Шевченка. - 2019. - № 63. - С. 5-11. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Znpviknu_2019_63_3 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |